1C31224G01 模塊

• 規(guī)格：1C31224G01
• 品牌：WESTINGHOUSE
• 用途：工控

不使過流失速而引起變頻器跳閘；減速時間設定關鍵是：防止滑潤電路電壓過大，不使再生過壓失速而使變頻器跳閘。加減速時間可根據(jù)負載計算出來，但在調(diào)試中常采用按負載和經(jīng)歷先設定較長加減速時間，通過起、停電動機查詢有無過電流、過電壓報警；然后將加減速設定時間逐步縮短，以作業(yè)中不發(fā)生報警為準則，重復操作幾回，便可確認出*佳加減速時間二轉矩進步又名轉矩補償，是為補償因電動機定子繞組電阻所引起的低速時轉矩下降，而把低頻率規(guī)劃f/V增大的辦法。設定為主動時，可使加速時的電壓主動進步以補償起動轉矩，使電動機加速順利進行。如選用手動補償時，根據(jù)負載特性，尤其是負載的起動特性，通過實驗可選出較佳曲線。關于變轉矩負載，如挑選不妥會呈現(xiàn)低速時的輸出電壓過高。

1440-TB-A 底座

1784-PCIC 模塊

它能在高電壓、大電流條件下作業(yè)，但作業(yè)頻率較低。在晶閘管的基礎上開發(fā)了門極可關斷晶閘管(GTO)和集成門極換流晶閘管(IGCT)等新式器件。GTO是晶閘管的一種派生器件，能夠通過在門極施加負的脈沖電流使其關斷，其電壓電流容量較大，現(xiàn)在GTO的高研討水平能夠到達12000V/10000A，在高壓大功率牽引、工業(yè)和電力逆變器中使用較為遍及。集成門極換流晶閘管(IGCT)是一種用于大型電力電子成套設備中的新式電力半導體器件，它集IGBT的高速開關特性和GTO的高阻斷電壓和低導通損耗特性于一體，具有電流大、阻斷電壓高、開關頻率高、導通損耗低、可靠性高、結構緊湊等特征。功率雙極型晶體管(BJT)是早呈現(xiàn)的全控型、電流操控電力電子器件。

1784-PCIC 模塊

150-F108NBD 軟啟動器

其間2013年Cree開宣告6英寸SiC單晶產(chǎn)品，其微管密度低于1個/cm2;多家公司研宣告厚度跨越250μm的SiC外延資料樣品，并批量提供中低壓器件用SiC外延資料產(chǎn)品。在SiC器件方面，國際上報道了10kV~15kV/10A~20A的SiCMOSFET、跨越20kV的SiC功率二極管和SiCIGBT芯片樣品。Cree和Rohm公司開發(fā)了SiCMOSFET產(chǎn)品，電壓等級從650V~1700V，單芯片電流跨越50A，并開宣告1200V/300A、1700V/225A的全碳化硅功率模塊產(chǎn)品。GaN是另一種重要的寬禁帶半導體資料。它具有一起的異質結結構和二維電子氣，在此基礎上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件。

廈門控匠自動化科技有限公司銷售WESTINGHOUSE 1C31224G01，針對WESTINGHOUSE 1C31224G01客戶提供相關咨詢服務，需要了解WESTINGHOUSE 1C31224G01型號尺寸、重量、價格、安裝、維護等資料請與我們聯(lián)系。

 

相關產(chǎn)品

 

 

公司簡介

 

其它地區(qū) 其它儀器 類似信息：