1C31224G01 模塊

• 規(guī)格：1C31224G01
• 品牌：WESTINGHOUSE
• 用途：工控

不使過流失速而引起變頻器跳閘；減速時(shí)間設(shè)定關(guān)鍵是：防止滑潤電路電壓過大，不使再生過壓失速而使變頻器跳閘。加減速時(shí)間可根據(jù)負(fù)載計(jì)算出來，但在調(diào)試中常采用按負(fù)載和經(jīng)歷先設(shè)定較長加減速時(shí)間，通過起、停電動(dòng)機(jī)查詢有無過電流、過電壓報(bào)警；然后將加減速設(shè)定時(shí)間逐步縮短，以作業(yè)中不發(fā)生報(bào)警為準(zhǔn)則，重復(fù)操作幾回，便可確認(rèn)出*佳加減速時(shí)間二轉(zhuǎn)矩進(jìn)步又名轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償，是為補(bǔ)償因電動(dòng)機(jī)定子繞組電阻所引起的低速時(shí)轉(zhuǎn)矩下降，而把低頻率規(guī)劃f/V增大的辦法。設(shè)定為主動(dòng)時(shí)，可使加速時(shí)的電壓主動(dòng)進(jìn)步以補(bǔ)償起動(dòng)轉(zhuǎn)矩，使電動(dòng)機(jī)加速順利進(jìn)行。如選用手動(dòng)補(bǔ)償時(shí)，根據(jù)負(fù)載特性，尤其是負(fù)載的起動(dòng)特性，通過實(shí)驗(yàn)可選出較佳曲線。關(guān)于變轉(zhuǎn)矩負(fù)載，如挑選不妥會(huì)呈現(xiàn)低速時(shí)的輸出電壓過高。

1440-TB-A 底座

1784-PCIC 模塊

它能在高電壓、大電流條件下作業(yè)，但作業(yè)頻率較低。在晶閘管的基礎(chǔ)上開發(fā)了門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)和集成門極換流晶閘管(IGCT)等新式器件。GTO是晶閘管的一種派生器件，能夠通過在門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷，其電壓電流容量較大，現(xiàn)在GTO的高研討水平能夠到達(dá)12000V/10000A，在高壓大功率牽引、工業(yè)和電力逆變器中使用較為遍及。集成門極換流晶閘管(IGCT)是一種用于大型電力電子成套設(shè)備中的新式電力半導(dǎo)體器件，它集IGBT的高速開關(guān)特性和GTO的高阻斷電壓和低導(dǎo)通損耗特性于一體，具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊等特征。功率雙極型晶體管(BJT)是早呈現(xiàn)的全控型、電流操控電力電子器件。

1784-PCIC 模塊

150-F108NBD 軟啟動(dòng)器

其間2013年Cree開宣告6英寸SiC單晶產(chǎn)品，其微管密度低于1個(gè)/cm2;多家公司研宣告厚度跨越250μm的SiC外延資料樣品，并批量提供中低壓器件用SiC外延資料產(chǎn)品。在SiC器件方面，國際上報(bào)道了10kV~15kV/10A~20A的SiCMOSFET、跨越20kV的SiC功率二極管和SiCIGBT芯片樣品。Cree和Rohm公司開發(fā)了SiCMOSFET產(chǎn)品，電壓等級(jí)從650V~1700V，單芯片電流跨越50A，并開宣告1200V/300A、1700V/225A的全碳化硅功率模塊產(chǎn)品。GaN是另一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體資料。它具有一起的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)和二維電子氣，在此基礎(chǔ)上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件。

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