規(guī)格:齊全
所屬類型:四級(jí)螺紋鋼
品牌:
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哈氏合金C276庫存尺寸如下:
品牌:美國哈氏/美國SMC/美國ATI/德國VDM
0.38×1219×C
0.5×1000/1219×C
0.6×1000/1219×C
0.7×1219×C
0.8×1219×C
1.0×1219×C
1.2×1219×C
1.5×1219×C
2.0×1219×C
3.0×1219×C
4.0×1219×C
4.76×1219×C
5.0×2000×6000
6.0×2000×6000
8.0×2000×6000
10.0×2000×6000
12.0×2000×6000
15.0×2000×6000
20.0×2000×6000
30.0×2000×6000
40.0×2000×6000
配套焊絲(ERNiCrMo-4)Φ1.0、Φ1.2、Φ1.6、Φ2.0、Φ2.4、
配套焊條(ENiCrMo-4)Φ2.4、Φ3.2、Φ4.0
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籽晶法
首先將和所要鑄造的單晶部件具有相同材料的的籽晶安放在模殼的底部,然后將過熱的熔融金屬液澆注在籽晶上面,使籽晶部分熔化,再恰當(dāng)?shù)乜刂乒桃航缑媲把匾后w中的溫度梯度和晶體的生長(zhǎng)速度,金屬熔液就會(huì)從未被熔化的籽晶部分開始往金屬液中生長(zhǎng),并終形成晶體取向與籽晶相同的單晶。
選晶法
選晶法是單晶高溫合金葉片制備中基本的工藝方法. Higginbotham把常用的單晶選晶器結(jié)構(gòu)歸納為四種類型:螺旋型、傾斜型、轉(zhuǎn)折型、尺度限制型(縮頸型)隨著單晶高溫合金研究的發(fā)展,螺旋型選晶器逐漸淘汰掉其他三種選晶器,成為目前應(yīng)用廣泛也是成功的選晶器類型。
選晶法的原理就是利用選晶器的這種狹窄界面,只允許一個(gè)晶粒長(zhǎng)出它的頂部,然后這個(gè)晶粒長(zhǎng)滿整個(gè)型腔,從而得到單晶體. 其晶體競(jìng)爭(zhēng)生長(zhǎng)機(jī)制是:螺旋結(jié)構(gòu)總的攀升走向正好與散熱方向相反,致使螺旋體內(nèi)散熱均勻,因此在整個(gè)螺旋形生長(zhǎng)過程中,位向適合生長(zhǎng)的那個(gè)晶粒將其他眾多的初生晶粒一一淘汰,不斷長(zhǎng)出枝晶并終進(jìn)入試樣本體成為單晶鑄件.
至于鎳基單晶合金,在鎳的Gamma固溶態(tài)中,有大量分散結(jié)晶構(gòu)造稍為不同的Gamma基本態(tài),只要將這種結(jié)晶單晶化,在定向凝固合金中,增加Gamma基本態(tài),提高高溫強(qiáng)度。鎳基單晶合金基本上消除定向凝固高溫合金的限制。F119的渦輪葉片是用第三代單晶作的,DD3可能是代。
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