規(guī)格:全新
所屬類型:熱處理設(shè)備
品牌:精誠電爐
IGBT作為中頻電源逆變器的優(yōu)點(diǎn)
(1)良好的自關(guān)斷性能;
(2)通態(tài)電阻具有正 溫度系數(shù);
(3)IGBT 保護(hù)技術(shù)完善;
(4)開關(guān)頻率高,完 全覆蓋低頻,中頻,超音頻段頻;
(5)容量大.
IGBT中頻電源的優(yōu)勢(shì)
(1)IGBT中頻電源是一種采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)熔煉爐,它的逆變器件為一種新型IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管,德國生產(chǎn)),它主要用于熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。它具有熔化速度快、節(jié)能、高次諧波污染低等優(yōu)點(diǎn)。
(2)IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源,加少量料即可達(dá)到滿功率輸出,并且始終保持不變,所以熔化速度快;因逆變部分采用串聯(lián)諧振,且逆變電壓高,所有IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能;IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功,整流部分采用全橋整流,電感和電容濾波,且一直工作在500V,所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小,對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。
(3)節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面:
A、逆變電壓高,電流小,線路損耗小,此部分可節(jié)能15%左右,節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V,而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V,電流小了近4倍,線路損耗大大降低。
B、功率因數(shù)高,功率因數(shù)始終大于0.98,無功損耗小,此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式,整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角,所以整個(gè)工作過程功率因數(shù)始終大于0.98,無功率損耗小。
(4)高次諧波干擾:高次諧波主要來自整流部分調(diào)壓時(shí)可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓,會(huì)嚴(yán)重污染電網(wǎng),導(dǎo)致其他設(shè)備無法正常工作,而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分 采用半可控整流方式,直流電壓始終工作在,不調(diào)導(dǎo)通角,所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波,不會(huì)污染電網(wǎng)、變壓器,開關(guān)不發(fā)熱,不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。
(5)恒功率輸出:可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功,而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功,它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響,在整個(gè)熔煉過程中保持恒功率輸出,尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí),更顯示它的優(yōu)越性,熔化速度快,爐料元素?zé)龘p少,降低鑄造成本。
IGBT中頻電源的IGBT注意事項(xiàng)
(1)IGBT 管由于有漏柵寄生電 容的密勒效應(yīng),能引起意外的尖峰電壓損害管子,所以應(yīng) 用時(shí)讓柵極電路的阻抗足夠低以盡量消除其負(fù)面影響;
(2) 柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì) IGBT 的開通過程,驅(qū) 動(dòng)脈沖的波形有很大影響.應(yīng)用時(shí)應(yīng)綜合考慮;
(3)應(yīng)采 用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率,從而抑制器
(4)在工作 件的 dv/d 和 ce的峰值,達(dá)到短路保護(hù)的目的; 電流較大的情況下,為了減小關(guān)斷過電壓,應(yīng)盡量減小主 電路的布線電感,吸收電容器應(yīng)采用低感型.
IGBT中頻電源的應(yīng)用
IGBT中頻電源由于具有加熱速度快,熱效率高和無空氣污染等優(yōu) 點(diǎn),感應(yīng)加熱是一種先進(jìn)的加熱方式,可以廣泛地應(yīng)用 于熔煉,熱透,淬火,金屬表面處理等工業(yè)加工領(lǐng)域.
設(shè)備型號(hào) | 輸入電源 | 輸入電流 (A) | 輸入功率 (KW) | 振蕩頻率 (KHZ) | 冷卻水量 (L/MIN) | 水溫保護(hù)點(diǎn) | 重量 (KG) | 體積 (m³) |
JCZ-IGBT35 | 3*380V 50HZ | 53 | 35 | 5-20 | 8 | 50℃ | <90 | <0.9 |
JCZ-IGBT45 | 68 | 45 | 5-20 | 9 | <100 | <0.9 | ||
JCZ-IGBT60 | 90A | 60 | 5-20 | 9 | <150 | <1.1 | ||
JCZ-IGBT80 | 120A | 80 | 5-20 | 10 | <180 | <1.1 | ||
JCZ-IGBT100 | 150A | 100 | 5-20 | 10 | <200 | <1.2 | ||
JCZ-IGBT120 | 180A | 120 | 5-20 | 12 | <200 | <1.4 | ||
JCZ-IGBT160 | 240A | 160 | 5-20 | 15 | <240 | <1.6 | ||
JCZ-IGBT200 | 300A | 200 | 5-20 | 20 | <260 | <1.8 | ||
JCZ-IGBT250 | 375A | 250 | 5-20 | 25 | <300 | <2 | ||
可控硅中頻電源基本配置:主機(jī)一臺(tái)、分機(jī)一臺(tái)、標(biāo)配感應(yīng)圈一只、附機(jī)配件一套. |
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經(jīng)營模式:生產(chǎn)型
所在地區(qū):湖南 株洲